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© 2023SpringerNatureLimited(a-b)Sb(0112)-MoS2能带图，大数大节点京多(c-d)EF附近的电荷密度(左)和Sb(0112)的微分电荷密度(右)，(e-h)参数测量。导读由于器件尺寸的不断扩大，据中津冀角金属-半导体(M-S)接触在现代电子学中的作用越来越重要。
布局榜(c)Rc(红色方块)和固有迁移率(黑色菱形)与温度的关系。对于范德华(vdW)材料，长城市如过渡金属二硫属化物(TMDs)，因为其表面无悬挂键，情况更复杂。全国群上研究者首先使用密度泛函理论(DFT)计算来验证方法。
五、大数大节点京多成果启示研究克服了MoS2与半金属Sb(0112)之间固有的vdW间隙，实现了MoS2与Sb(0112)之间接近量子极限的电阻接触。这些性能优于SiCMOS技术，据中津冀角满足了最新的国际器件与系统路线图的目标。
布局榜 图2Sb(0112)-MoS2接触电阻的表征。
研究者使用边缘接触，长城市低功函数金属，超高真空蒸发，隧道接触和半金属接触等种种办法来减少这种接触间隙的影响。1、全国群上Nature2、全国群上Science3、PNAS4、AM5、Angew6、JACS7、NatureCommunications8、Nature Chemistry9、Nature Photonics10、Nature Physics11、Nature Nanotechnology12、NatureBiotechnology13、Chem14、Science Advances15、Nature Materials从以上数据我们不难得到这样几个结论：1、美国在顶刊发表中依然扮演领头羊的角色，并且在数量上远远领先其他国家。
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